要闻：Micron提供新款单面DDR3 DRAM模块样品

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微软是全球领先的先进半导体处理计划提供商之一，inc.(纳斯达克股票代码: mu )和全球领先的连接器供应商te connectivity (te ) (纽约证券交易所股票) 公布了单面sodimm和小型单面、双倍数据传输率3 (ddr3) sodimm连接器处理方案迅速发展的超极本ulta连接器处理方案。 micron开发的这款新的单面sodimm旨在将组件放置在主板的前面或背面(但不放置在两面)，为薄型计算市场提供薄型存储处理。 与te的单面ddr3 sodimm连接器组合使用时，整个处理方式距离主板的总z轴高度仅为3mm，比标准sodimm处理方式的4.6mm节省了35%的空间。 / br/

微机目前出厂的单面sodimm容量为4gb，为单行阵列，配置有x8。 除了高度降低外，这个新模块还使用30纳米ddr3l-rs元件，待机时的耗电量比标准ddr3还低。 此外，该单面sodimm的每个针脚都与当前的ddr3模块兼容，并与现有的ddr3 sodimm连接器向后兼容。

鉴于目前超薄设备市场的深度和广度，根据客户对优雅轻便设计的要求，micron的目标是满足便携性、电池寿命和专业的能源诉求 micron的单面sodimm独特的外形规格满足了这些需求，将在日益增长的行业引领未来快速发展的方向。

te的工程师们设计了新的单面ddr3 sodimm连接器，以便为高速数据应用提供卓越的性能。 这个连接器的第一个优点是高度比类似的薄型连接器低35%。 这样，最终产品的高度减少了5-10%。 主板阴影面积也减少了156平方毫米，而普通双路设备减少了312平方毫米的面积。 此ddr3 sodimm连接器接受符合jedec mo268领域标准的模块，并提供标准型和反向型。

很明显，从超极本ultrabook(tm )设备到平板电脑，越来越薄，越来越优雅，te是设备产品经理hook chang说的， 以往，存储装置电路的小型化一般会牺牲可靠性。 ddr3 sodimm连接器可以解决这个问题，确保持久的连接，从而优化设备的功能、速度和可用性。 我们和micron technology共同承诺，为顾客提供高质量、可靠、经济高效的处理方案，以优化产品性能。 / br// h// br// h /产品目前提供单面sodimm器件的样品，并于年春季批量生产

te connectivity现在可以提供单面sodimm连接器的样品，计划于年6月批量生产。 / br// h// br// h/micron超薄内存:从全局视图的角度看，未来的/ br// h///br///h/micron是移动的 有各种各样的产品，如nor闪存卡等，高性能、超薄的计算设备开始一键运行。 使用micron的存储和存储处理方案，您可以实现强大、快速的响应计算—开/关、应用程序加载、超薄超轻的设计、较长的电池寿命和电池节能。 / br// h// br /微型/ br /微型/ h// br /微型技术、 关于inc .，全球领先的半导体工艺micron通过全球范围的运营，面向先进的计算、客户、互联网、嵌入式、移动产品，使用固态硬盘、dram、nand、nor micron的普通股在纳斯达克上市，代码为mu｡。 关于美光科技企业的新闻不断增加，请看micron。 / br// h// br /微型技术，inc .徽标为全球新闻/网络漫游/ PRS /？ 关于pkg id = 6950/br// h// br/te连接性，该企业是世界领先的领域 te connectivity长期致力于创新和卓越的工程设计改革，帮助客户应对高效节能、可靠通信、日益增长的生产力等方面的诉求。 这家企业在50多个国家雇用了近9万名员工，每天在全世界建立可靠的连接。 要联系这家企业，请访问te。 / br// h// br// h /微型技术，inc .版权所有。 资料如有更改，恕不另行通知。 micron和micron orbit的标志是micron技术，inc .的商标。 其他所有商标均为各自所有者所有。 本文包含了单面sodimm产品生产的几个前瞻性描述。 现实情况和结果可能与主动描述中包含的副本不同。 参见micron和证券交易委员会定期发表的摘要文件，特别是micron最新的10-k和10-q表。 这些文档包含重要元素，摘要文档的副本和前瞻性说明有所不同(请参见某些元素)。 。 虽然我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的，但这并不能保证未来的结果、活动的程度、绩效或成果。 / br// h// br// h /联系人新闻: zenogroupformicron

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