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立锝科学技术选用sidense的1t-otp,具有小型、廉价、高可靠性等特点

marketwire年8月30日安大概省渥太华消息/明通信息专线/--

逻辑非易失性存储( lnvm ) otp ip核心行业的领先开发者sidense corp .今天表示,Li技术( richtek technology )在电源管理ic(pmic )产品中添加了基于sidense的1t-fuse(tm吨- Fuse ),是一家领先的开发者。 锝技术之所以选择了sidense的slp nvm宏,是因为1t-otp的特征之一有助于在与其他pmic提供商的竞争中取得特征。

锝技术是在sidense的两个产品中,一次选择适合bcd工艺的slp宏和ips (集成电源)宏,利用普通的芯片电源生成位单元的编程电压。

立铠科技研究开发副主任osbert lin说:“我们为电源管理产品选择了sidense的nvm。 因为1t-otp宏比多次可编程( mtp )存储器所需的宏小,我们可以采用更小的芯片,得到竞争对手没有的价格特性。 低功耗1t-otp提供高速的读取时间和高达150°c的晶片级业务温度,可以灵活地将1t-otp转换为掩模模型的只读存储器,在测试中可以编程。

sidense全球销售和市场营销副总裁tom schild表示:“随着系统的增多、噪声的增加以及芯片工艺的精细化,设备电源管理成为产品设计过程中更为重要的问题。 立锝技术是重要的pmic开发者和供应商,很高兴为创新的电源管理产品选择了sidense的1t-otp。

sidense slp宏有许多现成的配置,从用于配置和简单应用的256位低密度到用于代码存储和多个nvm应用的每个宏的256千位高密度。 在180纳米bcd工艺中,slp宏可以在-40℃到150℃的温度范围内进行数据读取和现场编程,适用于高温环境下的操作可靠性和长时间数据保存要求的汽车电子系统等的应用。

关于sidense企业

sidense公司提供高密度、高可靠性、高安全的非易失性可一次性重复编程( otp )逻辑非易失性存储器( lnvm )知识产权( ip ),用于标准逻辑cmos工艺。 企业已经取得或申请的专利超过115项,企业提供了基于创新的单个晶体管1t-fuse(tm )位单元的otp存储器ip许可,1t-fuse的制造工艺不需要附加的掩模和工艺步骤。 与闪存、掩码rom、efuse和其他嵌入式和芯片外nvm技术相比,sidense 1t-otp宏包括程序存储、密钥、模拟信号调节和设备配置等多种多样

目前有100多家企业,包括多家无工厂半导体制造商和idm制造商,使用sidense 1t-otp作为300多种芯片设计的nvm处理方案。 顾客认识到,该处理方案可显着降低价值成本和功耗,从移动和电子设备的消费出发,为高温、可靠性高的汽车和工业电子设备等的应用提供更好的安全性和可靠性。 该ip将提供给所有顶级半导体晶片工厂和选定的idm制造商,并得到支持。 sidense总部设在加拿大渥太华,在世界各地设有销售办事处。 详情请参阅sidense。

关于立锝技术

铠甲科技( richtek technology corporation )是世界领先的模拟ic企业之一。 公司一贯提供创新的电源管理处理计划以提高电子设备、计算机和通信设备的性能。 锝科技以集中于技术创新、质量和顾客服务为最终设备增加价值。 立铠科技是台湾证券交易所的上市公司。 股票代码6286。 有关立锝技术及其模拟ic处理方案的详细信息,请访问企业网站: richtek。

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标题:要闻:Sidense OTP帮助立锜科技为用户提供高价钱效益的高效电源管理处理方案

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