要闻：sidense推出SHF 1T

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shf 1t-otp适用于使用40纳米、28纳米、20纳米以下工艺尺寸的系统级芯片。 sidense 1t-otp在40纳米和28纳米芯片的设计中被大型半导体制造商广泛使用

marketwired年7月31日加拿大渥太华消息/明通信息专线/

高级逻辑非易失性存储器( lnvm )是由光学编程( OTP )知识产权( ip )内核开发者sidense今天使用shf(sidense hiper fuse )的OTP ( IP )。 该存储器适用于40纳米、28纳米、20纳米和更高级的几何尺寸工艺，sidense shf 1t-otp已获得适用于g和lp两种40纳米工艺技术的资格认证

获得适用于40纳米和28纳米工艺技术的shf许可的客户包括用于开发面向移动、成本和计算应用的产品的先进半导体公司。 shf的用途包括程序存储、现场可编程只读存储器( rom )替代、安全加密密钥存储、结构、保险丝替代、调整、校准等。

shf为使用40纳米和更先进的工艺技术开发硅片产品的顾客带来了用途广泛的sidense 1t-otp存储器的特点。 除了占用空间小之外，shf宏还为多晶硅或hkmg (高k金属栅极)的先进工艺技术(前栅极和后栅极)提供了不需要额外的掩模或工艺步骤，价格低廉、效益好的嵌入式存储器处理方案 与其他类型的非易失性存储器相比，sidense拥有专利的单晶体管位单元在安全性和可靠性方面也有很多特点。

sidense shf还将就地执行程序的高速编程与高速读取性能进行比较，-40°； c至125 &度； 为c温度范围的读写操作和高安全性的应用提供内置冗余性、编程和测试接口、纠错、程序控制、自诊断和支持等全面特征。 现场编程还提供了多种电源选项，以支持对供电敏感的高性能计算和移动应用程序。

sidense创始人、首席技术官wlodek kurjanowicz表示，与所有非易失性存储器产品一样，shf宏基于获得专利的单通道分割1t-fuse(tm )比特单元架构， shf是为设计低电压和高性能产品的尖端客户开发的，这些产品需要使用尖端的工艺技术和完整的非易失性存储器处理方案。

shf非易失性存储器具有最多1mbit的各种各样的1t-otp宏结构，能够多次进行更大规模的结构。 有关产品特点和产品供应的详细信息，请咨询sidense:info@sidense，或访问我们的网站: sidense/products/shf。

关于[/s2/]sidense企业

sidense公司提供高密度、高可靠性、高安全的非易失性可一次性重复编程( otp )逻辑非易失性存储器( lnvm )知识产权( ip )，用于标准逻辑cmos工艺。 企业已经取得或申请的专利超过115项，企业提供基于创新的1t-fuse(tm )位单元的otp存储器ip许可证。 1t-fuse是20纳米以下的硅芯片技术，制造工艺不需要追加的掩模和工艺步骤。 与闪存、掩码rom、efuse和其他嵌入式和芯片外nvm技术相比，sidense 1t-otp宏包括程序存储、密钥、模拟信号调节和设备配置等多种多样

目前有100多家企业，包括多家无工厂半导体制造商和idm制造商，使用sidense 1t-otp作为300多种芯片设计的nvm处理方案。 顾客意识到该处理方案可以显着降低价值成本和能耗，从移动和电子设备的消费出发，为高温、可靠性高的汽车和工业电子设备等的应用提供了更好的安全性和可靠性。 该ip将提供给所有顶级半导体晶片工厂和选定的idm制造商，并得到支持。 sidense总部设在加拿大渥太华，在世界各地设有销售办事处。 详情请参阅sidense。

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